Генерация СВЧ-колебаний в диодах Ганна

Как любой генератор СВЧ-диапазона, генератор Ганна характеризуется генерируемой мощностью, длиной волны, или частотой генерируемых колебаний, коэффициентом полезного действия, уровнем шумов и другими параметрами. Выходная непрерывная мощность генераторов Ганна в пролетном режиме обычно составляет десятки - сотни милливатт, а при импульсной работе достигает сотен ватт. Рабочая частота в пролетном режиме обратно пропорциональна длине или толщине высокоомной части кристалла Связь между генери-руемой мощностью и частотой можно представить в виде:
(8.23)
Мощность генерируемых СВЧ-колебаний зависит от полного сопротивления z или от площади рабочей части высокоомного слоя полупроводника. Приведенное соотношение указыает на то, что ожидаемое изменение мощности с частотой пропорционально . Верхний предел рабочей частоты диодов Ганна составляет сотни гигагерц (рис. 8.10). Генераторы Ганна из арсенида галлия могут генерировать СВЧ-колебания от 1 до 50 ГГц. Несколько бoльшие частоты получены на ге-нераторах Ганна из фосфида индия в связи с бoльшими значениями макси-мальных скоростей электронов, но качество приборов из этого материала значительно ниже из-за недостаточной отработки технологии изготовления материала. Преимущество фосфида индия перед арсенидом галлия - большее значение пороговой напряженности электрического поля (10,5 и 3,2 кВ/см соответственно). Это должно позволить создать генератор Ганна с бoльшей выходной мощностью. Для создания бoльших частот генерируемых колебаний представляют интерес тройные соединения GaInSb, так как в них велики дрейфовые скорости электронов.


Рис. 8.10. Примеры характеристик диодов Ганна

Эффект Ганна наблюдается, помимо GaAs и InP, в электронных полупро-водниках CdTe, ZnS, InSb, InAs и др., а также в Ge с дырочной проводимо-стью. Коэффициент полезного действия генераторов Ганна может быть различным (от 1 до 30 %), так как технологии изготовления приборов и качество исходного полупроводникового материала существенно различаются. В связи с возможным наличием в кристалле генератора Ганна нескольких неоднородностей зарождение домена может происходить в различные моменты времени на разном расстоянии от анода. Поэтому частота колебаний будет изменяться, т.е. могут возникать частотные шумы. Кроме частотных шумов в генераторах Ганна существуют амплитудные шумы, основной причиной появления которых являются флуктуации в скоростях движения электронов. Обычно амплитудные шумы в генераторах Ганна малы, так как дрейфовая скорость в сильных электрических полях, существующих в этих приборах, насыщена и слабо изменяется при изменении электрического поля. Важным для практического применения генераторов Ганна является во-прос о возможности их частотной перестройки в достаточно широком диапазоне. Из принципа действия генератора Ганна ясно, что частота его должна слабо зависеть от приложенного напряжения. С увеличением приложенного напряжения несколько возрастает толщина домена, а скорость его движения изменяется незначительно. В результате при изменении напряжения от поро-гового до пробивного частота колебаний увеличивается всего на десятые доли процента. Срок службы генераторов Ганна относительно мал, что связано с одно-временным воздействием на кристалл полупроводника таких факторов, как сильное электрическое поле и перегрев кристалла из-за выделяющейся в нем мощности.