лЧЬСЕ ЗЮЕДЕКСГ

юЛИЫО-ВЙМЕНКВГ ЯВНВХОЕНСЗОСХВ ОСНСЗОЛНВ

пЕКЛЙЕКЛИЛФСАЕЗХЛЕ ЛМСЗВКСЕ ювя ДСКСЗОЛНВ

жЛККВГ ДСВФНВЙЙВ С ОЛХС ДСЛДКЛФЛ ОСНСЗОЛНВ Ю ЛОХНЭОЛЙ ЗЛЗОЛГКСС

жВЮСЗСЙЛЗОЫ ХЛШППСТСЕКОВ МЕНЕДВАС a ЛО ОЛХВ ШЙСООЕНВ

жВЮСЗСЙЛЗОЫ ХЛШППСТСЕКОВ й ЛО КВМНГРЕКСГ VG. ъЙКЛРЕКСЕ Ю ХЛИИЕХОЛНКЛЙ МЕНЕЯЛДЕ

оНСКСЗОЛН.  пЕКЛЙЕКЛИЛФСАЕЗХЛЕ ЛМСЗВКСЕ ювя

Зависимость коэффициента передачи a от тока эмиттера


Как уже отмечалось ранее, зависимость коэффициента передачи эмиттерного тока а от напряжения, приложенного к тиристору, является причиной переключения тиристора. Рассмотрим, какие физические механизмы могут обеспечить такую зависимость. В области малых токов основная причина зависимости а от тока I связана с рекомбинацией в эмиттерном переходе. При наличии рекомбинационных центров в области пространственного заряда эмиттерного перехода прямой ток такого перехода в области малых прямых смещений - рекомбинационный Jрек. Зависимость этого тока от напряжения экспоненциальная, но показатель экспоненты в два раза меньше, чем для диффузионного тока JpD.


По мере роста прямого напряжения на p-n переходе диффузионная компонента тока JpD начинает превалировать над рекомбинационной. В терминах эффективности эмиттера это эквивалентно возрастанию эффективности эмиттера, а следовательно, и увеличению коэффициента передач а = гамма*n. На рисунке 7.6 показана зонная диаграмма эмиттерного перехода, которая иллюстрирует конкуренцию двух токов - рекомбинационного и диффузионного в токе эмиттера, а на рисунке 7.8 - типичная зависимость коэффициента передачи а от тока эмиттера Iэ при наличии рекомбинационных центров в ОПЗ p-n перехода.

 


Рис 8. Типичная зависимость коэффициента передачи а от тока эмиттера Iэ при наличии сильной рекомбинации в ОПЗ p-n переходов