лЧЬСЕ ЗЮЕДЕКСГ

юЛИЫО-ВЙМЕНКВГ ЯВНВХОЕНСЗОСХВ ОСНСЗОЛНВ

пЕКЛЙЕКЛИЛФСАЕЗХЛЕ ЛМСЗВКСЕ ювя ДСКСЗОЛНВ

жЛККВГ ДСВФНВЙЙВ С ОЛХС ДСЛДКЛФЛ ОСНСЗОЛНВ Ю ЛОХНЭОЛЙ ЗЛЗОЛГКСС

жВЮСЗСЙЛЗОЫ ХЛШППСТСЕКОВ МЕНЕДВАС a ЛО ОЛХВ ШЙСООЕНВ

жВЮСЗСЙЛЗОЫ ХЛШППСТСЕКОВ й ЛО КВМНГРЕКСГ VG. ъЙКЛРЕКСЕ Ю ХЛИИЕХОЛНКЛЙ МЕНЕЯЛДЕ

оНСКСЗОЛН.  пЕКЛЙЕКЛИЛФСАЕЗХЛЕ ЛМСЗВКСЕ ювя


Вольт-амперная характеристика тиристора

Вольт амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению Vg, подаваемому на первый p1 эмиттер тиристора.
Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напря-жения VG падает на коллекторном переходе П2, который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П1 и П2 включены в прямом направле-нии. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p n перехода.
При достижении напряжения VG, называемого напряжением включения Uвкл, или тока J, называемого током включения Jвкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.


Рис. 4. ВАХ тиристора:
Vg - напряжение между анодом и катодом; Iу, Vу - минимальный удерживающий ток и напря-жение; Iв, Vв - ток и напряжение включения