Важнейшее место в теории фазовых переходов в твердом состоянии занимают переходы металл−диэлектрик. Такие фазовые переходы сопровождаются изменением величины и характера электропроводности при изменении температуры T и давления p, магнитного поля H или состава вещества. Переходы металл−диэлектрик наблюдаются в ряде твердых тел, иногда в жидкостях и газах (например, в плотных парах металлов). В результате перехода проводимость материала может меняться на несколько порядков, например в оксиде ванадия V2O3 она изменяется приблизительно в 107 раз, а в нестехиометрическом оксиде европия EuO до 1010 раз.
Фазовые
переходы металл−диэлектрик легко идентифицируются в том случае, если они
являются фазовыми переходами первого рода. В случае переходов второго рода их
обнаружение затруднено, поскольку при температурах выше абсолютного нуля
проводимость не испытывает скачка при фазовом переходе, т. е. в точке перехода
она непрерывна. Строгое же разделение веществ на металлы и диэлектрики
(полупроводники) можно дать только при T = 0 K. У металлов при абсолютном нуле
температур проводимость отлична от нуля , а у диэлектриков в этих условиях
. С ростом температуры электрическое сопротивление металлов
обычно растет, а диэлектриков и полупроводников падает.
В рассмотренной выше стандартной зонной схеме твердых тел в диэлектриках и полупроводниках заполненные зоны отделены от пустых запрещенной зоной (энергетической щелью) шириной Eg. В металлах имеются зоны, заполненные лишь частично, и электроны могут перемещаться по этим зонам в слабом электрическом поле. Структура зон в одноэлектронном приближении связана с симметрией кристаллической решетки. Фазовый переход металл−диэлектрик связан с изменением решетки, т. е. является структурным фазовым переходом. Такова природа переходов металл−диэлектрик во многих квазиодномерных (цепочечных) и квазидвумерных (слоистых) соединениях. В этом случае переход называется фазовым переходом Пайерлса или переходом с образованием волны зарядовой плотности. Рассмотрим это явление с позиций зонной теории, основы которой были изложены выше.
В квазиодномерных кристаллах с цепочечной структурой атомов (или молекул) электроны проводимости могут свободно перемещаться вдоль цепочек из-за значительного перекрытия волновых функций электронов соседних атомов в цепочке, но движение электронов между цепочками затруднено [4].
Для одной
цепочки «поверхность» Ферми электронов проводимости состоит из двух точек в
пространстве волновых векторов (
− волновой вектор Ферми) Эти точки совмещаются друг с
другом при переносе на величину 2
. Поэтому смещения ионов с одномерным волновым вектором 2
(пайерлсовские смещения) создают диэлектрическую щель на
поверхности Ферми (в точках
), которая приводит к понижению энергий электронов вблизи
щели и к понижению полной энергии электронной системы (рис. 13.22).
|
Рис. 13.22. Энергетический спектр электронов в пайерлсовсом диэлектрике (сплошные линии) и в металлической фазе (пунктир) |
Это понижение и является причиной перехода Пайерлса.
Фазовый переход
металл-диэлектрик Пайерлса проявляется в подавлении проводимости и
парамагнитной восприимчивости электронов при охлаждении кристаллов ниже точки
перехода. Из-за движения электронов между цепочками, а также из-за
электростатического взаимодействия волн зарядовой плотности на разных цепочках
пайерлсовские смещения ниже точки фазового перехода упорядочиваются трехмерным
образом. Поверхность Ферми в этом случае состоит из двух участков вблизи точек . Эти участки совмещаются при параллельном переносе на
трехмерный вектор
, компонента которого
вдоль цепочек равна 2
(рис. 13.23).
|
Рис. 13.23.
Поверхность Ферми в квазиодномерном металле; пунктир показывает поверхность Ферми
без учета движения электронов между цепочками; переход на вектор |
Наиболее часто
волны зарядовой плотности соседних цепочек находятся в противофазе. Однако,
компонента вектора вдоль цепочек всегда
близка к значению 2
, причем величина 2
пропорциональна плотности электронов проводимости в цепочке.
Связь вектора
с плотностью
электронов в цепочке говорит об электронной природе перехода Пайерлса.
Для
пайерлсовского диэлектрика характерны нелинейные эффекты в зависимости
электрического тока I от приложенного электрического
поля. Для трихалькогенидов переходных металлов эти эффекты проявляются при
полях , где
− пороговое
поле, минимальное значение которого для разных материалов находится в пределах
(0,01−1) В/см. Вблизи значений пороговой значения
с ростом напряженности
поля Е величина производной
(I − сила тока) падает и появляется периодически
осциллирующая во времени компонента электрического тока. Объяснение этого
эффекта основано на концепции фрёлиховской коллективной моды (гл. 11.5),
имеющей специфический вид для состояния с волной зарядовой плотности.
Фазовые переходы металл−диэлектрик в некоторых веществах связаны с изменением симметрии кристаллической решетки, например, переход белого олова в серое («оловянная чума»).
С изменением ближнего порядка связаны фазовые переходы металл−диэлектрик, происходящие при плавлении многих полупроводников. Так, в германии Ge и кремнии Si, имеющих в твердой фазе решетку типа алмаза, при плавлении меняется ближний порядок, и они становятся жидкими металлами.
Уширением зон разрешенных энергий и исчезновением энергетической щели Eg, обусловленными изменением симметрии решетки, обычно объясняют металлизацию многих диэлектриков и полупроводников при высоких давлениях. Возможно, этим определяется наличие металлического ядра Земли.
Во многих веществах наличие диэлектрических свойств в основном состоянии (при Т = 0 К) и переход металл−диэлектрик не объяснимы с точки зрения одноэлектронной зонной схемы и связаны с межэлектронным взаимодействием. Например, во многих соединениях переходных и редкоземельных металлов (лантаноидов) электроны внутренних, частично заполненных d- и f-оболочек оказываются локализованными в ионном остове, и перенос их на соседние ионы, требующийся для появления металлической проводимости, невозможен вследствие большого проигрыша в энергии межэлектронного взаимодействия. Перенесенный «лишний» электрон в этом случае сильно отталкивается от уже имеющегося на ионе «своего» локализованного электрона.
Вещества, в которых диэлектрические свойства обусловлены указанным фактором называются моттовскими диэлектриками или диэлектриками Мотта−Хаббарда [4, 111]. К ним относятся, например, оксиды переходных металлов типа оксида никеля NiO, оксида кобальта CoO и т. д. Переход металл−диэлектрик в таких системах может быть связан с исчезновением мотт−хаббардовской щели, например при изменении давления или температуры. Такова, видимо, природа перехода металл−диэлектрик в оксиде ванадия V2O3 и в сходных соединениях, хотя определенный вклад в переход здесь может давать и взаимодействие электронов с решеткой.
На рис. 13.24 приведена температурная зависимость электропроводности оксида ванадия V2O3 вблизи точки фазового перехода. Температура фазового перехода V2O3 составляет 150 К и для этой модификации оксида ванадия изменение проводимости составляет 8 порядков. В настоящее время это одно из наиболее высоких значений скачка проводимости для перехода металл−диэлектрик.
|
Рис. 13.24. Температурная зависимость электропроводности V2O3 1 - в области фазового перехода; 2 – в температурном диапазоне, соответствующем металлической фазе.[4] |
Использование терминов «металл-диэлектрик» и «металл-полупроводник» для описания фазовых переходов является достаточно близким и связано, как правило, с температурной зависимостью проводимости в области низких температур до точки фазового перехода и ее абсолютной величиной. Если значение удельного сопротивления в этой области температур велико (r>102 Ом см), то используют термин «металл-диэлектрик». Если же значение удельного сопротивления в этой области температур составляет r<102 Ом см, то используют термин «металл-полупроводник». В обоих случаях температурная зависимость в этой области носит экспоненциальный характер.
Для области температур выше температуры фазового перехода характерно высокое значение проводимости (удельное сопротивление r<10-4 Ом см), соответствующее металлам. Температурная зависимость проводимости также проявляет металлический характер, уменьшаясь с ростом температуры
При фазовом переходе металл-диэлектрик в оксиде ванадия V2O3 происходит изменение симметрии решетки от ромбоэдрической (до температуры фазового перехода) к моноклинной (выше температуры фазового перехода). На рис. 13.25 показаны виды элементарных ячеек в этих областях температур. При этом в ромбоэдрической решетке (рис. 13.25 а) в элементарную ячейку входит 4 атома ванадия (темные кружки), а в моноклинной (рис. 13.25 б) – на элементарную ячейку приходится 3 атома ванадия.
|
Рис. 13.25. Изменение структуры при фазовом переходе металл-полупроводник в V2O3: а - ромбоэдрическая элементарная ячейка, б - моноклинная элементарная ячейка. Темные кружки – атомы ванадия, светлые – атомы кислорода [4] |
В общем случае выделение основной причины фазового перехода металл−диэлектрик часто затруднительно, т. к., по-видимому, в переход вносят вклад разные механизмы. Если переход имеет характер мотовского, то он обычно тесно связан с изменением магнитных свойств вещества, т. к. локализованные электроны обладают локализованным магнитным моментом. Поэтому вещества в фазе моттовского диэлектрика обычно имеют магнитное упорядочение (как правило, антиферромагнитное).
В неупорядоченных системах (неупорядоченные сплавы, сильнолегированные полупроводники, аморфные вещества) состояние электрона, движущегося в случайном (хаотическом) потенциальном поле, может оказаться локализованным в пространстве, несмотря на то, что его энергетический спектр непрерывен (андерсоновская локализация). Соответственно подвижность электрона обращается в нуль, и вещество может оказаться диэлектриком. В этих случаях переход металл−диэлектрик (или обратный переход) может быть вызван изменением степени неупорядоченности системы или изменением концентрации электронов (химического потенциала), если уровень Ферми пересечет так называемый порог подвижности и выйдет в область делокализованных состояний.
Явление фазового перехода металл−диэлектрик используется на практике в термисторах, резисторах, устройствах для записи и хранения информации и т. д.