Согласно принципу Паули и соотношению неопределенности Δp·Δx ≥ h требуется, чтобы элементарная ячейка фазового пространства Δpx·Δx·Δpy·Δy = (2πħ)2 содержала не больше двух электронов. В фазовом пространстве объем элементарной ячейки VЭЯ = Δkx·Δx·Δky·Δy = 4π2.
Рассмотрим фазовый объем VФ слоя в интервале от k до k+Δk (рис. 10.3). Для удобства дальнейших выкладок перейдем от конечных приращений к дифференциалам. Фазовый объем будет равен VФ = 2πkdk.
|
|
а |
б |
Рис.
10.3. Изоэнергетическая поверхность для расчета плотности: а - 2D и б - 1D квантовых
состояний |
Тогда число электронов dn, находящихся в этом фазовом объеме, будет с учетом принципа Паули
|
|
Учитывая квадратичный закон дисперсии E(k), для плотности состояний N(E) в двумерной подзоне из формулы (10.6) получаем
|
(10.7) |
Выражение (10.7) соответствует числу состояний на единичный энергетический интервал и на ед. площади ОПЗ толщиной λc, в которой локализован электрон. Чтобы получить плотность состояний N(E) на ед. объема, для сравнения с объемной плотностью состояний, выражение (10.8) необходимо разделить на характерный размер λc локализации волновой функции в направлении z.
|
|
Из этого
уравнения следует, что следствием двумеризации электрона является независимость
плотности состояния от энергии электрона в пределах одной квантовой подзоны.
Напомним, что в трехмерном случае плотность состояний N(E) пропорциональна корню квадратному из энергии . При переходе от одной подзоны к другой меняется величина
локализации волновой функции λ,
а следовательно, и плотность состояний N(E).
Квантовый эффект Холла для 2D электронов в сильном магнитном поле
Двумерный электронный газ реализуется в инверсионных слоях МДП-транзисторов, на границе раздела гетеропереходов. Наиболее ярко двумеризация электронного газа проявляется в квантовом эффекте Холла. Эффектом Холла называют появление поперечной разности потенциалов при протекании электрического тока в твердых телах при наличии магнитного поля, перпендикулярного к плоскости протекания тока. При исследовании эффекта Холла измеряемыми величинами являются холловское напряжение VH и ток канала I. Если разделить холловское напряжение VH на ток канала I, то полученная величина имеет размерность сопротивления, обычно называемого холловским сопротивлением Rxy [53].
|
(10.8) |
Для слабых магнитных полей B без учета квантования по магнитному полю B зависимость холловского сопротивления Rxy от плотности электронов Γn гиперболическая и гладкая функция.
В случаях
сильного магнитного поля B,
перпендикулярного плоскости 2D
электронного газа, происходит квантование энергии. Величина кванта энергии будет равна
, а возникший дискретный энергетический спектр определяется
соотношением
. Эти энергетические уровни получили название уровней Ландау.
С учетом квантования по магнитному полю B зависимость холловского сопротивления Rxy будет
.
Из этого уравнения следует, что в случае полного заполнения i-го уровня Ландау (ε = 1) величина холловского сопротивления равна:
|
(10.9) |
Отметим, что состояния полного заполнения i-го уровня Ландау по оси плотности электронов Γn ничем, вообще говоря, не выделены по сравнению с неполностью заполненными уровнями. На рис. 10.4 точками показаны расчетные значения, соответствующие заполнению 1, 2, 3-го и т. д. уровней Ландау.
Экспериментально зависимость Rxy = f (Γn) наблюдается легко при изменении Γn путем вариации напряжения на затворе VG.
|
Рис. 10.4. Зависимость холловского сопротивления Rxy от избытка электронов Γn: а - в отсутствие
магнитного поля; б - расчетная зависимость, точками обозначены состояния
полного заполнения уровней Ландау; в
- экспериментальная
зависимость |
Экспериментальное исследование на холловских МДП-транзисторах показало, что на месте полного заполнения уровней Ландау возникают ступеньки на зависимости холловского сопротивления Rxy от избытка электронов Γn. Величина холловского сопротивления на этих ступеньках Rxy определяется только универсальными физическими постоянными – постоянной Планка h и зарядом электрона q. Само значение Rxy при i = 1 равно:
|
(10.10) |
и в настоящее время служит в качестве эталона Ома.
Появление ступенек на зависимости холловского сопротивления Rxy от величины избытка электронов Γn или индукции магнитного поля B получило название квантового эффекта Холла. Автор открытия, западногерманский физик Клаус фон Клитцинг, удостоен Нобелевской премии 1985 года по физике.