Объемное сопротивление базы БТ в схеме с общей базой определяется чисто геометрическими особенностями конструкции БТ. Для сплавного транзистора, как показано на рисунке 10, общее сопротивление будет складываться из сопротивления активной области (1), промежуточной (2) и пассивной (3).
Рис. 10. Схема БТ, иллюстрирующая расчет объемного сопротивления базы
Геометрический ряд этих сопротивлений дает значение:
, где в скобках первое слагаемое – сопротивление цилиндра,
второе – сопротивление одного кольца, третье – сопротивление другого кольца.
Независимость от ширины цилиндра связана с тем, что ток базы рекомбинационный и
зависит от объема вещества. Подставляя параметры:
rб = 5 Ом×см,
W1 =50 МОм; W2
= 5W1; W3
= 9W1; R2
= 1,5R1; R3
= 5R1, получаем –
rб = 150 Ом.