На главную страницу

Назад                                                                                                                    Вперед

Объемное сопротивление базы.

Объемное сопротивление базы БТ в схеме с общей базой определяется чисто геометрическими особенностями конструкции БТ. Для сплавного транзистора, как показано на рисунке 10, общее сопротивление будет складываться из сопротивления активной области (1), промежуточной (2) и пассивной (3).

 

Рис. 10. Схема БТ, иллюстрирующая расчет объемного сопротивления базы

Геометрический ряд этих сопротивлений дает значение:

, где в скобках первое слагаемое – сопротивление цилиндра, второе – сопротивление одного кольца, третье – сопротивление другого кольца. Независимость от ширины цилиндра связана с тем, что ток базы рекомбинационный и зависит от объема вещества. Подставляя параметры: rб = 5 Ом×см, W1 =50 МОм; W2 = 5W1; W3 = 9W1; R2 = 1,5R1; R3 = 5R1, получаем – rб = 150 Ом.

 

 

На главную страницу