.Коэффициент обратной связи по напряжению в биполярном транзисторе в схеме с общей базой показывает, как изменится напряжение на эмиттерном переходе при единичном изменении напряжения на коллекторном переходе при условии, что ток эмиттера поддерживается постоянным:
.
Ненулевое значение коэффициента обратной связи также обусловлено эффектом Эрли. Аналогично, как и для коллекторного напряжения, распишем цепочку, показывающую взаимосвязь параметров.
Требование постоянства эмиттерного тока
Iэ = const
для биполярного транзистора при диффузионном механизме переноса носителей через
базу обуславливает постоянство градиента концентрации инжектированных носителей
. При увеличении напряжения на коллекторе
Uк увеличивается ширина обедненной
области 
коллекторного p-n
перехода, что вызывает уменьшение ширины квазинейтрального объема базы
W. Это, в свою очередь, влечет за собой уменьшение
концентрации инжектированных носителей рn(0)
на границе эмиттерного перехода (так как градиент
должен оставаться постоянным). Поскольку концентрация
инжектированных дырок на границе эмиттерного перехода рn(0)=
p0·exp(bUэ)
определяется напряжением на эмиттере, то ее уменьшение возможно только при
уменьшении напряжения Uэ на
эмиттере.
Рис. 9. Влияние эффекта модуляции ширины базы БТ на
концентрацию неосновных носителей на границе эмиттер–база
Таким образом, если поставлено условие:
Iэ = const,
, то при увеличении коллекторного напряжения
Uк должно происходить уменьшение
эмиттерного напряжения Uэ.
Физически наличие обратной связи по напряжению в биполярном транзисторе в схеме с общей базой обусловлено эффектом модуляции ширины базы.
Получим выражение для коэффициента обратной связи.
Поскольку 
, то 
. Учтем, что
, так как градиент постоянен. Зависимость ширины базы от
напряжения на коллекторе 
была получена ранее. Тогда
.
Таким образом, выражение для коэффициента обратной связи по напряжению mэк в биполярном транзисторе в схеме с общей базой в зависимости от конструктивно-технологических параметров имеет следующий вид:
.
Подставив те же параметры биполярного транзистора те же, что и в предыдущем примере, получаем mэк = –1,1 10-5. Знак “–” в выражении для mэк означает, что при увеличении напряжения на коллекторе Uк происходит уменьшение напряжения на эмиттере Uэ.