Существует и другая форма представления этой взаимосвязи в виде эквивалентных схем, когда реальные процессы в нелинейных устройствах можно заменить на набор активных (источники тока и напряжения) и пассивных (резисторы, емкости) элементов, адекватно описывающих взаимосвязь входных и выходных параметров. На основе рассмотренных характеристик представим эквивалентную схему транзистора при включении по схеме с общей базой в следующем виде. Основные пассивные элементы (сопротивления rэ, rк, rб , емкости коллекторного СБ и эмиттерного СД переходов), активные элементы (генератор тока aIэ в коллекторной цепи, источник ЭДС mэкUк в эмиттерной цепи, отражающей обратную связь между эмиттером и коллектором) изображены на эквивалентной схеме (рис. 11).
Рис. 11. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общей базой
Приведенная эквивалентная схема справедлива для рассмотрения статических характеристик биполярного транзистора, а также для рассмотрения этих характеристик в области низких частот. Эта схема называется Т-образной эквивалентной схемой, отражает основные физические процессы, происходящие в транзисторе, и удобна для их анализа.
Основные параметры эквивалентной схемы транзистора выражаются через конструктивно-технологические параметры следующим образом:
;
.
Величины коэффициентов a, rэ, rк, mэк для биполярного транзистора лежат в пределах:
a = 0,95÷0,995, rэ = 1÷10 Ом, rк = 10÷106 Ом, mэк = 10-3÷10-5.