Полевой транзистор с затвором в виде
            p-n перехода 

 Рассмотрим характеристики полевого транзистора,зат-
 вор у которого выполнен в виде p-n перехода:


 При приложении напряжения Vgs к затвору ПТ,
 обеспечивающего обратное смещение p-n перехода
 (Vgs>0),происходит расширение обедненной области
 в п/п подложку,т.к  затвор легирован существенно
 сильнее,чем подложка. Демонстрация 
 Таким образом, ПТ с затвором в виде p-n перехода
 представляет собой сопротивление,величина которого
 регулируется внешним напряжением.
 На рисунке представлены ВАХ в ПТ с затвором в виде
 p-n перехода.Их отличительной особенностью является
 то,что при напряжении на затворе Vg=0 канал транзис-
 тора открыт и величина тока через него максимальна.
 Характеристики транзистора КП302Б:а)Выходные
 характеристики;б)Начальные участки выходных ха-
 рактеристик.


 Быстродействие ПТ с затвором в виде p-n перехода
 обусловлено зарядкой барьерных емкостей Cg 
 затворных p-n переходов через сопротивление
 канала Rк: t=Cg*Rк : 
=>
 Данное выражение минимальное значение при ширине
 обедненной области ,при этом граничная
 частота 
 При значениях H=L для кремния (e=11,8) с удельным 
 сопротивлением р,равным р=1 Ом*см, граничная частота
 будет составлять величину несколько гигагерц.
                Далее...