Приборы с зарядовой связью 
 Новым типом полевых полупроводниковых приборов,
 работающих в динамическом режиме,являются приборы
 с зарядовой связью(ПЗС).Приборы с зарядовой связью 
 представляют собой линейку или матрицу последователь-
 но-расположенных МДП-структур:
            
 Устройство и принцип работы приборов 
         с зарядовой связью

 Величина зазора между соседними МДП-структурами 
 невелика и составляет 1-2 мкм.ПЗС-элементы служат для
 преобразования оптического излучения в электрические 
 сигналы и передачи информации от одного элемента 
 электронной схемы к другому.
 При подаче обедняющего импульса напряжения Vg1 на
 затвор 1-го элемента в ОПЗ полупроводника образуется
 неравновесный слой обеднения.Для электронов в полу-
 проводнике р-типа это соответствует формированию под 
 затвором 1-го элемента потенциальной ямы.Известно,что
 неравновесное состояние сохраняется в период времени
 t порядка времени генерационно-рекомбинационных 
 процессов tген.Поэтому все остальные процссы в ПЗС-
 элементах должны проходить за времена меньше этого
 значения.Пусть в момент времени t1>>tген в ОПЗ под 
 затвор 1-го элементы инжектирован каким-либо образом 
 информациооный заряд электронов(рис "б").Теперь в 
 момент времени t2>t1,но t2 << tген на затвор 2-го ПЗС
 -элемента подадим напряжение Vg2>Vg1,но способст-
 вующее формированию более глубокой потенциальной
 ямы для электронов под затвором 2-го элемента.
 Вследствии диффузии и дрейфа возникнет поток 
 электронов из ОПЗ под 1-м элементом в ОПЗ под 
 вторым элементом(рис "в").Когда весь информационый
 заряд перетечет в ОПЗ 2-го ПЗС-элемента, напряжение
 на затвоер Vg1 снимается, а на затворе Vg2 умень-
 шается до значения,равного Vg1(рис "г").
 Произошла передача информационного заряда.
 Затем цикл повторяется и заряд передается дальше 
 в ОПЗ 3-го ПЗС-элемента.Для того,чтобы приборы с 
 зарядовой связью эффективно функционировали,
 необходимо,чтобы время передачи tпер от одного 
 элемента к другому было много меньше времени 
 генерационно-рекомбинационных процессов(tпер
 << tген).
 Не должно быть потерь информа-ционного заряда
 всле ствие захвата на поверхностные состояния, в
 связи с чем требуются МДП-структуры с низкой 
 плотностью поверхностных состояний 
 (Nss~10E+10 1/cm-2*эВ-1). Далее...