Темы:
  1. Рост кристаллов
  2. Эпитаксия
  3. Осаждение
  4. Окисление
  5. Диффузия
  6. Имплантация
  7. Методы сборки и герметизации
  8. Методы контроля и диагностики














































ТЕМА 1
 "РОСТ КРИСТАЛЛОВ"

ВОПРОС 1
Какой материал наиболее распространен в электронной промышленности и наиболее часто встречается в природе:
1) GaAs
2) Si
3) Ge

ВОПРОС 2
Чем определяется скорость роста кристаллов:
1) Числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы и особенностями переноса на границе раздела фаз
2) Объёмом поверхности и температурой
3) Только особенностями переноса на границе раздела фаз

ВОПРОС 3
Какого порядка предел диаметра кристалла, когда скорость вытягивания не может быть достигнута без ухудшения степени монокристалличности:
1) Миллиметры
2) Десятки миллиметров
3) Порядка сантиметра

ВОПРОС 4
К чему приводит примесь кислорода в кремнии:
1) Формированию акцепторов и повышению предела текучести
2) Только к образованию дефектов
3) Формированию доноров, повышению предела текучести и образованию дефектов

ВОПРОС 5
Что такое химическое переохлаждение:
1) Необходимость охладить раствор для роста кристаллов без дефектов
2) Самопроизвольное охлаждение сильно легированных растворов
3) Понижение температуры кристаллизации в сильно легированных растворах
Список тем














































ТЕМА 2
 "ЭПИТАКСИЯ"

ВОПРОС 1
Каково назначение процесса эпитаксии:
1) Очистка поверхности подложки
2) Нанесение диэлектрической пленки поверх полупроводника
3) Нанесение тонкого слоя монокристаллического полупроводника на поверхность монокристаллической подложки

ВОПРОС 2
Какая величина должна быть учтена в первую очередь при строительстве реактора:
1) Коэффициент диффузии
2) Толщина пограничного слоя
3) Поток реагентов

ВОПРОС 3
В чём проявляется автолегирование:
1) Увеличение ширины переходной области между слоем и подложкой
2) Уменьшение ширины переходной области между слоем и подложкой
3) Увеличение ширины образуемого слоя

ВОПРОС 4
Какой источник кремния выбирают, чтобы получить высокую скорость роста при относительно низкой температуре:
1) Силан
2) Дихлорсилан
3) Трихлорсилан

ВОПРОС 5
Что такое число Рейнольдса:
1) Параметр, описывающий скорость нанесения полупроводникового слоя на подложку
2) Концентрация газа в реакторе
3) Безразмерный параметр, описывающий характер течения газа в реакторе
Список тем














































ТЕМА 3
 "ОСАЖДЕНИЕ"

ВОПРОС 1
Для чего применяется осаждение диэлектрических плёнок:
1) Для формирования проводящих участков внутри схемы, электрическая изоляция, защита поверхности
2) Для формирования ёмкости внутри схемы
3) Только для защиты поверхности

ВОПРОС 2
Какие факторы влияют на осаждение:
1) Коэффициент диффузии
2) Концентрация силана и легирующей примеси
3) Температура, давление, концентрация силана и легирующей примеси

ВОПРОС 3
Для чего НЕ применяется нитрид кремния:
1) Чтобы сделать поверхность полупроводниковых приборов пассивной и защитить от диффузии воды и ионов натрия
2) В качестве маски при локальном окислении кремния
3) В качестве катализатора в реакциях окисления кремния

ВОПРОС 4
Что такое конформное воспроизведение:
1) Величины толщин плёнки на стенках ступеньки и толщин на дне и на поверхности должны быть одного порядка
2) Толщина плёнки на стенках ступеньки не отличается от толщины на дне и поверхности
3) При воспроизведении плёнка имеет минимум дефектов

ВОПРОС 5
Где применяется легированный оксид кремния:
1) Изолирующая плёнка
2) Изоляция между металлическими слоями, покрытие на поверхности приборов, геттерирующие слои
3) Маска в процессах диффузии и имплантации и защитная плёнка
Список тем














































ТЕМА 4
 "ОКИСЛЕНИЕ"

ВОПРОС 1
Какой из методов, применяемых в технологии формирования интегральных схем является ведущим:
1) Термическое окисление
2) Анодирование в растворах электролитов
3) Плазмохимическое анодирование

ВОПРОС 2
В каком температурном диапазоне применима модель окисления кремния Дила-Гроува:
1) 300-700 градусов Цельсия
2) 700-1300 градусов Цельсия
3) 900-1100 градусов Цельсия

ВОПРОС 3
При каких условиях метод роста тонких окислов является наиболее перспективным:
1) Пониженное давление, температура 700-900 градусов Цельсия
2) Повышенное давление, температура 700-900 градусов Цельсия
3) Пониженное давление, температура 900-1000 градусов Цельсия

ВОПРОС 4
Какое выражение является правильным:
1) Константа скорости роста в 1,68 раза меньше для кремния с ориентацией поверхности по плоскости (111), чем по плоскости (100)
2) Константа скорости роста в 2,78 раза меньше для кремния с ориентацией поверхности по плоскости (111), чем по плоскости (100)
3) Константа скорости роста в 1,68 раза больше для кремния с ориентацией поверхности по плоскости (111), чем по плоскости (100)

ВОПРОС 5
Как влияет примесь натрия на рост и свойства кристалла:
1) Замедляет диффузию и увеличивает концентрацию кислорода в окисле
2) Ускоряет диффузию и увеличивает концентрацию кислорода в окисле
3) Ускоряет диффузию и уменьшает концентрацию кислорода в окисле
Список тем














































ТЕМА 5
 "ДИФФУЗИЯ"

ВОПРОС 1
Что такое металлургический переход:
1) Граница раздела подложки и диффузионного слоя
2) Глубина, на которой концентрация диффузионной примеси равняется концентрации исходной примеси в подложке
3) Глубина, на которой концентрация диффузионной и исходной примеси меняется скачком

ВОПРОС 2
Для кристаллов с каким типом решётки наиболее вероятен вакансионный механизм диффузии:
1) С гранецентрированной ромбической
2) С объёмоцентрированной кубической
3) С гранецентрированной кубической

ВОПРОС 3
При какой минимальной концентрации мышьяка образуются кластеры:
1) 10^23 см-3
2) 10^21 см-3
3) 10^20 см-3

ВОПРОС 4
Для чего НЕ используются диффузионные методы:
1) Для формирования базовых и эмиттерных областей и резисторов в биполярной технологии
2) Для создания затвора в полевых транзисторах
3) Для легирования п/к

ВОПРОС 5
От чего зависит равновесный коэффициент:
1) От химических потенциалов на ГРФ, кинетики перераспределения примеси на ГРФ и коэффициента диффузии примеси в оксиде кремния
2) От химических потенциалов на ГРФ и коэффициента диффузии примеси в оксиде кремния
3) Только от химических потенциалов на ГРФ
Список тем














































ТЕМА 6
 "ИМПЛАНТАЦИЯ"

ВОПРОС 1
Какие столкновения при внедрении ионов приводят к смещению атомов кремния:
1) Электронные
2) Ядерные
3) Электронные и ядерные

ВОПРОС 2
Какие параметры должны быть незначительны в процессе торможения, чтобы можно было бы оценить общую энергию ионов, вносящих вклад в смещение атомов:
1) Эффекты насыщения
2) Каналирование и тепловая диффузия
3) Каналирование, тепловая диффузия и эффекты насыщения

ВОПРОС 3
Какие процессы происходят при отжиге:
1) Увеличение содержания свободных носителей и уменьшение разупорядочения кристаллической структуры
2) Уменьшение содержания свободных носителей и уменьшение разупорядочения кристаллической структуры
3) Увеличение содержания свободных носителей и увеличение числа дефектов

ВОПРОС 4
Как изменяется активность с увеличением температуры в случае малой дозы имплантированной примеси:
1) Равномерно уменьшается
2) Логарифмически уменьшается
3) Равномерно увеличивается

ВОПРОС 5
Какое преимущество метода ионной имлантации является основным:
1) Более высокая однородность и воспроизводимость
2) Точность управления количеством внедрённых атомов примеси
3) Возможность плавно регулировать пороговое напряжение МОП-транзисторов в широких пределах, меняя уровень легирования
Список тем














































ТЕМА 7
 "МЕТОДЫ СБОРКИ И ГЕРМЕТИЗАЦИИ"

ВОПРОС 1
С какими проблемами сталкиваются при сборке и герметизации:
1) Проблема расширения функциональных возможностей ИС и быстрое повышение числа элементов на кристалле
2) Только проблема расширения функциональных возможностей ИС
3) Только проблема быстрого повышения числа элементов на кристалле

ВОПРОС 2
Какой слой наносят перед тем, как поместить кристалл в камеру с пониженным давлением (в методе перевёрнутого кристалла):
1) Cr-Cu
2) Cr-Sn
3) Pl-Sn

ВОПРОС 3
Какие преимущества имеет метод перевёрнутого кристалла:
1) Малая протяжённость межкомпонентных соединений и улучшение теплоёмкости
2) Матричное расположение контактных площадок и легкость герметизации
3) Матричное расположение контактных площадок и малая протяжённость межкомпонентных соединений

ВОПРОС 4
Каким материалом выполняют контактные площадки в методе перевёрнутого кристалла:
1) Al
2) Cu
3) Au

ВОПРОС 5
Какие бывают типы корпусов:
1) Тугоплавкая пластмасса и формованная керамика
2) Тугоплавкая керамика и формованная пластмасса
3) Тугоплавкая керамика и тугоплавкая пластмасса
Список тем

ТЕМА 8
 "МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ И ДИАГНОСТИКИ"

ВОПРОС 1
Каково пространственное разрешение метода растровой электронной микроскопии:
1) менее 1 нм
2) менее 10 нм
3) менее 100 нм

ВОПРОС 2
Какое излучение несет полезную информацию в методе растровой электронной микроскопии:
1) Рентгеновские лучи
2) Вторичные и отражённые электроны
3) Все три вышеперечисленные

ВОПРОС 3
Какой должна быть максимальная толщина кремния, чтобы можно было применить метод просвечивающей электронной микроскопии:
1) 1.5 мкм
2) 3 мкм
3) 10 мкм

ВОПРОС 4
Для чего может применяться метод Оже-спектроскопии:
1) Для анализа глубинных слоёв
2) Для анализа поверхностной области
3) Это универсальный метод

ВОПРОС 5
Какие нейтроны применяются в нейтронно-активационном методе:
1) Быстрые
2) Тепловые
3) Различные для различных видов исследований
Список тем