Двуокись кремния

Пленки двуокиси кремния могут осаждаться как с легирующими добавками, так и без них. Важнейший параметр при осаждении SiO2 - воспроизводимость рельефа.


Рис. 1 -
Конформное воспроизведение. Толщина пленки на стенках ступеньки не отличается от толщины на дне и поверхности. Обусловлено быстрой поверхностной миграцией.







Рис. 2 - Неконформное воспроизведение при отсутствии поверхностных миграций и больших значениях величины среднего пробега молекулы в газе.






Рис. 3 - Неконформное воспроизведение при отсутствии поверхностных миграций и малых значениях величины среднего пробега молекулы в газе (по сравнению с размерами ступеньки).


Нелегированная двуокись кремния используется:


Методы осаждения

Для формирования пленок двуокиси кремния используется несколько методов осаждения. Они характеризуются различными химическими реакциями, видом и используемого реактора и температурой процесса осаждения.

Пленки, осаждаемые при низких температурах (ниже 500 °С), формируются за счет реакции между силаном, легирующими добавками и кислородом:

SiH4 + O2SiO2 +2H2

Cпособ
осаждения 
Плазмохи-
мический
SiN4 + O2ТЭОСSiCl2H2 +
2N2O
Т, oC200450700900
Состав SiO1.9 (H)SiO2 (H)SiO2 (H)SiO2 (Cl)
Воспроизведен.неконформн.неконформн.конформн.конформн.
Термостабильн.выделение
Н
уплотнениетермостаб.выделение
Cl
Плотность,
г/cм-3
2.32.12.22.2
Коэффициент
преломления
1.471.441.461.46
Эл. прочность,
106 Вт/см
3 - 681010
Скорость
травления (100),
нм/мин
40633