Подготовка пластин кремния.

·       Получение металлургического и электронного кремния

·       Получение кремния методом зонной плавки

·       Выращивание кремния по методу Чохральского

·       Механическая обработка слитка.

o  отделение затравочной и хвостовой части слитка;

o  обдирка боковой поверхности до нужной толщины;

o  шлифовка одного или нескольких базовых срезов (для облегчения дальнейшей ориентации в технологических установках и для определения кристаллографической ориентации);

o  резка алмазными пилами слитка на пластины

o  шлифовка. На абразивном материале SiC или Al2O3 удаляются повреждения высотой более 10 мкм

o  полирование. Используют смесь полирующей суспензии (коллоидный раствор частиц SiO2 размером 10 нм) с водой.

·       Травление.

o   В смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот, приготовленной в пропорции 1:4:3, или раствора щелочей натрия производится травление поверхности Si.

o   Промывка в деионизованной и бидистиллированной воде

В окончательном виде кремний представляет собой пластину диаметром 15 - 40 см, толщиной 0.5 - 0.65 мм с одной зеркальной поверхностью.

Получение металлургического кремнияПолучение металлургического и электронного кремния

Исходным сырьем для большинства изделий микроэлектронной промышленности служит элек­тронный кремний. Первым этапом его получения является изготовление сырья, называемого метал­лургическим кремнием.

Этот технологический этап реализуется с помощью дуговой печи с погруженным в нее элек­тродом. Печь загружается кварцитом SiO2 и углеродом в виде угля, щепок и кокса. Температура ре­акции Т=1800°С, энергоемкость W = 13 кВт/час печи происходит ряд промежуточных реакций.

Результирующая реакция может быть представлена в виде:

SiCтв+ SiO2тв strelaSiтв+ SiO2газ+ COгаз

 

Металлургический кремний со степенью чистоты 98% измельчают и помещают в гидрометаллургическую установку для получения трихлорсилана. Температура реакции Т=300°C.

Siтв +3HClгазstrela SiHCl3газ+ H2газ + Q

 

Производство электронного кремния проходит в несколько этапов:

1.    Сначала в дуговой печи с погружаемым электродом получают металлургический кремний

SiCтв + SiO2strelaSiтв + SiOгаз + COгаз

кварцит(SiO2)+углерод в виде угля, щепок и кокса. температура реакции 1800 °С энергоемкость 13 кВт/ч

Металлургический кремний измельчают в порошок. Вступая в реакцию с безводным хлористым водородом, кремний пе­реходит в трихлорсилан  SiHCl3 Siтв + 3HClгазstrelaSiHCl3газ + H2газ + теплота

температура реакции 300 °C проходит в присутствии катализаторов

 

2.    ../Study/dk_Techonol_SBIS/sbis/rost/pict/electrsi.gifЭлектронный кремний получают из очищенного трихлорсилана путем осаждения из парогазо­вой смеси. Трихлорсилан при температуре Т = 32 °С становится жидкостью. Химическая ре­акция представляет собой реакцию водородного восстановления кремния из трихлорсилана:

2SiHCl3газ + 3H2газstrela2Siтв + 6HClгаз

3.    Зародышем будущего слитка служит резистивно нагреваемый кремниевый стержень. Полный цикл осаждения длится много часов. В результате получается стержень поликристаллического по структуре электронного кремния диаметром до 20 см и длиной несколько метров.

 

Этот процесс используют также для производства поликристаллических кремниевых труб, при­меняемых в качестве держателей и подставок, необходимых при осуществлении высокотемпера­турных обработок.

Технология получения кремния методом зонной плавки

В технологии формирования полупроводниковых соединений применение метода зонной плавки позволяет совместить в од­ном технологическом цикле сразу три операции: синтез, глубокую очистку синтезированного соединения и выращивание из него монокристалла.

Зонная плавка является одним из наиболее эффективных методов глубокой очистки полупроводников. Идея метода связана с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах полупроводника. Монокристалл получают из расплава, од­нако, перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла, а только узкая зона, которая при перемеще­нии вдоль кристалла втягивает в себя примеси.

Различают вертикальную (ВЗП) и горизонтальную (ГЗП) зонные плавки.

Зонная плавкаВ методе ВЗП стержень из поликристаллического кремния удерживается в вертикальном положении и вращается, в то время как расплавленная зона (высотой от 1 до 2 см) медленно проходит от нижней части стержня до его верха, как показано на рисунке.

 

1 – Держатель 2 - Обмотка нагревателя 3 - Монокристаллический кремний 4 - Затравочный монокристалл 5 – Держатель 6 - Расплавленная зона 7 - Стержень из поликристаллического кремния

Расплавленная область нагревается с помощью высокочастотного индукционного нагре­вателя и перемещается вдоль стержня от затравочного монокристалла. Поскольку боль­шинство примесей обладает хорошей растворимостью в жидкой фазе по сравнению с твер­дой, то по мере продвижения зона плавления все больше насыщается примесями, которые скапливаются на конце слитка. Процесс зонной плавки повторяют несколько раз, а по окон­чании очистки загрязненный конец слитка отрезают.

Для ускорения процесса очистки вдоль контейнера ставят несколько индукторов для образования ряда зон плавления. Теоретически многократная зонная плавка позволяет очень глубоко очистить исходный материал. Однако на практике такого результата достичь невозможно, так как одновременно с очисткой и увеличением числа проходов расплав загрязняется примесями контейнера и окружающей среды.

 

Выращивание кремния по методу Чохральского

Установка состоит из следующих блоков (см. рис.):

·  Схема установки (метод Чохральского)печь, включающая в себя тигель (8), контейнер для поддержки тигля (14),  нагреватель (15), источник питания (12), камеру высокотемпературной зоны (6) и изоляцию (3, 16);

·   механизм вытягивания кристалла, включающий в себя стержень с затравкой (5), меха­низм вращения затравки (1) и устройство ее зажима, устройство вращения и подъема тигля (11);

·   устройство для управления составом атмосферы (4 - газовый вход, 9 - выхлоп, 10 - ваку­умный насос);

·   блок управления, состоящий из микропроцессора, датчиков температуры и диаметра растущего слитка (13, 19) и устройств ввода;

·   дополнительные устройства: смотровое окно - 17, кожух - 2.

 

Технология процесса

Затравочный монокристалл высокого качества опускается в расплав кремния и одновременно вращается. Получение рас­плавленного поликремния происходит в тигле в инертной атмосфере при температуре, незначительно превосходящей точку плавления кремния Т = 1415 °С. Тигель вращается в направлении противоположном вращению монокристалла для осуществ­ления перемешивания расплава и сведению к минимуму неоднородности распределения температуры.

В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава.

Легирование осуществляется введением определенного количества примесей в расплав. Требования к деталям оборудования. Тигель изготавливается из химически инертного, прочного материала с высокой температурой плавления. Обычно используют кварц SiO2, который для уменьшения концентрации кислорода в растущем монокристалле кремния покрывают слоем нитрида кремния. Карбиды кремния или тантала не используют из-за большого содержания углерода, способного проникнуть впослед­ствии в кремний.

Нагрев кремния осуществляют резистивным или индукционным способом. При этом графитовый нагреватель соединяют с источником постоянного напряжения или помещают в переменное электромагнитное поле.

Процесс выращивания кремния происходит в инертной атмосфере или в вакууме. Общий вид оборудования приведен на ри­сунке.

Монокристалл кремнияОкончательная обработка кремния

Из установки извлекают кремниевый слиток диаметром 20 - 50 см и длиной до 3 метров. Для по­лучения из него кремниевых пластин заданной ориентации и толщиной в несколько десятых милли­метра производят следующие технологические операции:

 

 

Вид пластин1. Механическая обработка слитка:
- отделение затравочной и хвостовой части слитка;
- обдирка боковой поверхности до нужной толщины;
- шлифовка одного или нескольких базовых срезов (для облегчения дальнейшей ориентации в технологических установках и для определения кристаллографической ориентации);
- резка алмазными пилами слитка на пластины: (100) - точно по плоскости (111) - с разориента­цией на несколько градусов.

 

2. Травление. На абразивном материале SiC или Al2O3 удаляются повреждения высотой более 10 мкм. Затем в смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот, приготовленной в пропорции 1:4:3, или раствора щелочей натрия производится травление поверхности Si.

 

3. Полирование - получение зеркально гладкой поверхности. Используют смесь полирующей суспензии (коллоидный рас­твор частиц SiO2 размером 10 нм) с водой.

В окончательном виде кремний представляет собой пластину диаметром 15 - 40 см, толщиной 0.5 - 0.65 мм с одной зеркаль­ной поверхностью. Вид пластин с различной ориентацией поверхности и типом проводимости приведен на рисунке:

 

 

Эпитаксия.

·             Эпитаксия - процесс выращивания тонких монокристаллических слоев на монокристаллических подложках. Материал под­ложки в этом процессе выполняет роль затравочного кристалла.

·             Эпитаксия из из газовой фазы

§    Выращивание кремния проводится в потоке парогазовой смеси (силан + водород) при высоких температурах. Для легирова­ния обычно используют гидриды примесных элементов.

·             Молекулярно-лучевая эпитаксия

§    проводится в вакууме и основана на взаимодействии нескольких молекулярных пучков с нагретой монокристаллической под­ложкой. Сущность процесса состоит в испарении кремния и одной или нескольких легирующих примесей. Низкой давление паров кремния и легирующих примесей гарантирует их конденсацию на относительно холодной подложке. Обычно проводят в сверхвысоком вакууме при давлении 10-6 - 10-8 Па. Температурный диапазон составляет 400 - 800 °С.

·             Низкая температура процесса.

·             Высокая точность управления уровнем легирования.

§    кремний на изоляторе (КНИ). В случае синтезирования монокристаллического кремния на диэлектрической подложке исче­зает необходимость в создании изолирующих p-n переходов между элементами ИС. Как разновидность метода КНИ используется технология кремний на сапфире (КНС) Al2O3 .

§    Гетеропереходы.

Эпитаксия из газовой фазы.
Идея метода, схема реактора.

Термин "эпитаксия" применяют к процессам выращивания тонких монокристаллических слоев на монокристаллических подложках. Материал подложки в этом процессе выполняет роль затравочного кристалла.

Если материалы получаемого слоя и подложки идентичны, например, кремний выращивают на кремнии, то процесс назы­вают автоэпитаксиальным или гомоэпитаксиальным. Если же материалы слоя и подложки различаются (хотя их кристалличе­ская структура должна быть сходной для обеспечения роста монокристаллического слоя), то процесс называют гетероэпитак­сиальным.

Эпитаксиальное выращивание кремния из парогазовой фазы обычно проводят в реакторе, изготовленном из стеклообразного кварца, на помещенном внутри него пьедестале (подложкодержателе). Пьедестал служит для установки подложек и их нагрева во время процесса. Выращивание кремния проводится в потоке парогазовой смеси при высоких температурах.

Для выращивания эпитаксиального кремния используется один из четырех кремнесодержащих реагентов (тетрахлорид кремния - SiCl4, трихлорсилан - SiHCl3, дихлорсилан - SiH2Cl2 и силан - SiH4) и водород. При таких условиях возможно проте­кание химических реакций типа SiCl4 + 2H2 = Siтв + 4HCl.

 Рис. 1. Схема реактора для эпитаксии из парогазовой смеси
Схема реактора для эпитаксии из парогазовой смеси.

1- держатель; 2- кремниевая пластина; 3- пленка.

Газ разлагается на поверхности пластины и на нее осаждаются атомы кремния. Разложение кремнесодержащих компонент происходит пиролитически, т.е. только за счет тепла. Скорость роста пленки пропорциональна парциальному давлению силана. Все вещества, поступающие в реактор являются газами, отсюда и название "химическое осаждение из газовой фазы".

 

Молекулярно-лучевая эпитаксия

·       Низкая температура процесса. Снижение температуры процесса уменьшает диффузию примеси из подложки и автоле­гирование. Это позволяет получать качественные тонкие слои.

·       Высокая точность управления уровнем легирования. Легирование при использовании данного метода является без­инерционным (в отличие эпитаксии из газовой фазы), что позволяет получать сложные профили легирования.

 

Сущность процесса состоит в испарении кремния и одной или нескольких легирующих примесей. Низкой давление па­ров кремния и легирующих примесей гарантирует их конденсацию на относительно холодной подложке. Обычно МЛЭ проводят в сверхвысоком вакууме при давлении 10-6 - 10-8 Па. Температурный диапазон составляет 400 - 800 °С.

Основой установки является вакуумная система. Так как в процессе МЛЭ требуется поддерживать высокий вакуум, уста­новки снабжаются вакуумными шлюзами для смены образцов, что обеспечивает высокую пропускную способность при смене пластин и исключает возможность проникновения атмосферного воздуха. Для обеспечения высокого качества и чистоты расту­щего слоя необходимо низкое давление. Этого добиваются, используя безмасляные средства откачки (например, титановый гет­терный насос). Метод МЛЭ позволяет проводить всесторонний анализ некоторых параметров непосредственно во время про­цесса выращивания пленки. Испарение кремния осуществляется не путем нагрева тигля, как для легирующих элементов, а за счет нагрева электронным лучом, т. к. температура плавления кремня относительно высока.

Установка для МЛЭ кремния
Рис. 2. Схема установки для МЛЭ

1-термопара; 2-кварцевый кристалл-измеритель толщины; 3-тепловой экран; 4-нагреватель; 5-подложка; 6-держатель; 7-окно для визуального наблюдения; 8-масс-спектрометр; 9-инизационный вакуумметр; 10-механический затвор; 11-источник сурьмы; 12-электронная пушка и источник кремния; 13-титановый геттерный насос; 14-турбокомпрессионный насос.

 

 

Создание диэлектрических слоев.

Осаждение диэлектрических пленок широко используется для производства СБИС. Эти пленки:

o       формируют непроводящие участки внутри схемы,

o       выполняют роль электрического изолятора между металлами,

o       защищают поверхность от воздействия окружающей среды.

Двуокись кремния

Диэлектрическая постоянная 3,82, Ширина запрещенной зоны 8,9 эВ, Удельное сопротивление 1014-1016Ом·см

Слои SiO2 используются как:

·               маска для диффузии легирующих примесей;

·               для пассивации поверхности полупроводников;

·               для изоляции отдельных элементов СБИС друг от друга;

·               в качестве подзатворного диэлектрика;

·               в качестве одного из многослойных диэлектриков в производстве МНОП элементов памяти;

·               в качестве изоляции в схемах с многослойной металлизацией;

·               как составная часть шаблона для рентгеновской литографии.


Пленки SiO2 в микроэлектронной промышленности получают путем окисления кремния различными способами:

·               термическое окисление (сухое, влажное, хлорное, пирогенное);

·               анодное окисление;

·               пиролитическое окисление;

·               плазмохимическое окисление.

 

процесс окисления происходит при средних температурах (1000 °C) с использованием сухого кислорода иногда с до­бавлением соляной кислоты в окислительную среду. Второй этап заключается в термообработке в атмосфере при темпе­ратуре 1150 °C для проведения пассивирования и доведения толщины окисла до необходимого уровня.

 

Нитрид кремния

Стехиометричный Si3N4 используют для пассивирования поверхности полупроводниковых приборов или активная среда в МНОП РПЗУ

Получают аммонолизом моносилана при атмосферном давлении и температуре 700 - 900 °C. Удельное сопротивление 1016Ом·см, плотность 2.9 - 3.1 г/см3, диэлектрическая постоянная 6-7, ширина запрещенной зоны 5 эВ


         Пиролитический метод формирования пленок основан на использовании явления пиролиза или химических реакций при фор­мировании пленок поликристаллического кремния или пленок различных изолирующих материалов. В качестве химически активного газа применяют моносилан SiH4 и кислород, а в качестве буферного газа - азот (обычно пьедестал и пластины соприкасаются и разогреваются). При формировании пленок поликристаллического кремния пластина должна быть разогрета до 600 - 650 °С, а пленок нитрида кремния до 750 - 800 °С. Если нагрев пластин нежелателен, то используют альтернативные методы получения пленок (например, плазмохимический метод).

Процессы плазменного окисления металлов и полупроводников заключается в формировании на их поверхности оксидных слоев при помещении подложек-образцов в кислородную плазму. Образцы могут быть изолированными (плазменное оксидирование) или находиться под положительным относительно плазмы потенциалом (плазменное анодирование).

 

Вертикальный реакторГоризонтальный реактор
Вертикальный реактор                                            Горизонтальный реактор

 

Схема реактора

Создание p-n переходов..

Диффузия в полупроводниках это процесс последовательного перемещения атомов примеси в кристаллической решетке, обусловленной тепловым движением. Для изготовления р-n перехода используется химическая диффузия примесных атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку вещества для изменения его электрофизических свойств.
Назначение диффузии:

·               формирование базовых и эмиттерных областей и резисторов в биполярной технологии,

·               создание областей истока и стока в МОП технологии,

·               для легирования поликристаллического кремния.

Способы диффузии:

·               диффузия из химического истока в парообразной форме при высоких температурах,

·               диффузия из легированных окислов,

·               диффузия из ионно-имплантированных слоев с последующим отжигом (проводится для активирования имплантации атомов и уменьшения числа дефектов).

Ионная имплантация

Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантирования. Распределение внедренных атомов по глубине мишени оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса. Общая длина пробега иона зависит от его энергии и массы. Эффект каналирования. Для снятия радиационных дефектов применяют отжиги. Параметры процесса отжига определяются дозой и видом имплантированных ионов.

 

Литография.

·               Фоторезисты. Шаблоны.

В качестве негативного резиста при оптической литографии применяют циклополиизопреновый полимер

·               Оптическая литография.

Основными методами оптического экспонирования являются контактный, бесконтактный и проекционный. Характеристики точности отображения проекционных систем печати ограничены дифракционными эффектами.

·               Электронно-лучевая литография


       Существуют две основные возможности использования электронных пучков для облучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка дновременное экспонирование всего изображения целиком и последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка. Ограничения на ширину линий и плотность упаковки определяются не столько работой электронного пучка, сколько разрешающей способностью резиста и возможной точностью совмещения шаблона с пластиной.

·               Рентгеновская литография.

Рентгеновская литография является разновидностью оптической бесконтактной печати, в которой длина волны экспонирующего облучения лежит в диапазоне 0.4 - 5 нм.

 

Методы оптической литографии

Рис. 2. Бесконтактная печатьРис. 1. Контактная печатьОсновными методами оптического экспонирования являются контактный, бесконтактный и проекционный.

Контактная печать. При контактной печати (см. рис. 1) пластина кремния, покрытая резистом, находится в непосредственном физическом контакте со стеклянным фотошаблоном.

1- источник света 2- оптическая система 3- шаблон 4- фоторезист 5- кремниевая пластина 6-зазор

Для того чтобы провести совмещение топологического рисунка фотошаблона с предыдущим, вытравленным в кремнии топологическим рисунком, шаблон и пластину разводят на 25 мкм, а пару объективов с сильным увеличением помещают сзади шаблона для одновременного наблюдения рисунков шаблона и пластины из двух точек.

Метод бесконтактного экспонирования схож с методом контактной печати, за исключением того, что во время экспонирования между пластиной и шаблоном поддерживается небольшой зазор шириной 10-25 мкм.

Рис. 3. Схема для проекционной печатиТретий метод экспонирования - проекционная печать  (см. рис. 3) позволяет полностью исключить повреждения поверхности шаблона. Изображение топологического рисунка шаблона проецируется на покрытую резистом пластинку, которая расположена на расстоянии нескольких сантиметров от шаблона.

1- источник света 2- оптическая система 3- шаблон 4- фоторезист 5- кремниевая пластина

Для достижения высокого разрешения отображается только небольшая часть рисунка шаблона. Это небольшая отражаемая область сканируется или перемещается по поверхности пластины. В сканирующих проекционных устройствах печати шаблон и пластина синхронно перемещаются. С помощью этого метода достигается разрешение порядка 1,5 мкм ширины линий и расстояния между ними.

Фоторезисты

В качестве негативного резиста при оптической литографии применяют циклополиизопреновый полимер, смешанный с фоточувствительным соединением. Сенсибилизатор, или фотоинициатор активируется при поглощении энергии в диапазоне длин волн 200-450 нм. Активированный сенсибилизатор передает энергию молекулам полимера, что способствует образованию поперечных связей между цепочками полимера. Увеличение молекулярного веса полимера приводит к нерастворимости резиста в проявителе. При проявлении пленка негативного резиста разбухает, а его неэкспонированные области с низким молекулярным весом растворяется в проявителе. Позитивные резисты также состоят из основного полимерного материала и фотосенсибилизатора, но абсолютно по-другому реагируют на воздействие экспонирующего облучения. Сенсибилизатор нерастворим в водном растворе проявителя и, следовательно, предотвращает растворение основного полимерного материала.

Проекционная литография

Рис. 1. Схема проекционной системыСуществуют две основные возможности использования электронных пучков для облучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка. Это одновременное экспонирование всего изображения целиком и последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка.

Проекционные системы, как правило, имеют высокую производительность и более просты, чем сканирующие системы. Носителем информации об изображении является маска (шаблон). Изображение с шаблона передается на пластину лучом электронов.

Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты дисторсии и расширения пучка и определяет положение пластины.  Непосредственное нанесение рисунка с помощью ЭВМ позволяет обойтись без шаблона. Поэтому электронно-лучевые сканирующие системы могут быть использованы как для изготовления шаблонов, так и для непосредственной прорисовки на пластине. Эти установки имеют высокое пространственное расширение и точность совмещения, приближающиеся к 0,1 мкм.

 

Рис. 1. Рентгеновский шаблонРентгеновская литография является разновидностью оптической бесконтактной печати, в которой длина волны экспонирующего облучения лежит в диапазоне 0.4 - 5 нм. Несмотря на то, что при рентгеновской литографии используется бесконтактная экспонирующая система, проявление дифракционных эффектов уменьшено за счет малой длины волны рентгеновского излучения. Основная причина разработки метода рентгеновской литографии заключалась в возможности получения высокого разрешения и в то же время высокой производительности оборудования. Рентгеновские шаблоны состоят из поглощающих рентгеновское излучение металлических пленок с нанесенным на них рисунком и тонкой мембраны, пропускающей рентгеновские лучи.

 

Травление.

Для формирования топологии схемы необходимо перевести рисунки резиста в соответствующие слои полупроводниковой структуры. Один из методов такого перевода заключается в селективном удалении немаскированных участков резиста. Этот процесс называют травлением.

1.           Химическое травление

2.           Методы плазменного травления

3.           Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление

4.           Плазменное травление

5.           Реактивное ионное и реактивное ионно-лучевое травление

 

Металлизация.

1.           Химическое осаждение металлов из парогазовой смеси

2.           Металлизация с использованием источников резистивного нагрева

3.           Металлизация с использованием электронно-лучевого испарения

4.           Металлизация с использованием источников индукционного нагрева

5.           Металлизация с использованием ионного распыления

6.           Металлизация с использованием магнетронного источника

 

Методы контроля и диагностики.

1.           Исследование морфологии пленок

2.           Изучение кристаллографической структуры

3.           Исследование химического состава пленок

 

Методы сборки и герметизации

Один из основных методов монтажа кристаллов является соединение его с корпусом твердыми припоями (или эвтектикой).
Ультразвуковая сварка С помощью пуансона проволока прижимается к контактной площадке подложки, при этом к пуансону прикладываются УЗ колебания перпендикулярно направлению приложения давления с частотой 20...60 кГц.
Соединение проволокой может быть выполнено золотой проволокой методом термокомпрессии, ультразвуковым и термозвуковым методами или алюминиевой проволокой ультразвуковым методом.

Для герметизации ИС обычно используют эпоксидные смолы и кремнийорганические соединения.
Основной целью герметизации корпуса является защита от внешних загрязнений во время функционирования прибора. Почти для всех высококачественных корпусов герметизацию выполняют стеклом или металлом.