Все
диэлектрики, о которых шла речь до сих пор, характеризовались отсутствием
поляризации при нулевой напряженности внешнего электрического поля. Исключения
составляли лишь пьезо- и пироэлектрические материалы, в которых поляризация
возникает соответственно под действием механических напряжений и изменения
температуры. Другим важнейшим классом диэлектриков являются сегнетоэлектрики, для которых в
определенном интервале температур характерно явление самопроизвольной поляризации: соседние диполи стремятся ориентироваться параллельно друг другу
вследствие взаимодействия между ними. Это стремление к упорядочению передается
в кристалле сегнетоэлектрика от атома к атому так, что целые макроскопические
области кристалла могут обладать самопроизвольной поляризацией в определенном
направлении. Влияние температуры и внешнего электрического поля на
поляризуемость сегнетоэлектриков аналогично влиянию температуры и внешнего
магнитного поля на намагниченность ферромагнетиков. Здесь наиболее
замечательной особенностью является зависимость поляризации от поля
. Эти материалы обладают электрическим
гистерезисом (рис. 8.19), подобно магнитным материалам, обладающим
магнитным гистерезисом (отсюда второе название сегнетоэлектриков −
ферроэлектрики).
|
Рис. 8.19. Петля гистерезиса для сегнетоэлектрика [96] |
Фазовые
переходы между полярным и неполярным состояниями в сегнетоэлектриках могут быть
двух видов: фазовые переходы типа смещения (сдвигового характера) и фазовые
переходы типа порядок−беспорядок. В первом случае при температуре
фазового перехода происходит самопроизвольное смещение подрешеток кристалла,
изменяющее его симметрию. Это смещение приводит к спонтанной поляризации . Типичным примером сегнетоэлектриков такого рода являются
вещества со структурой перовскита
− титанат бария и его аналоги.
Переход типа
порядок−беспорядок связан с тем, что структурные элементы кристалла
(молекулы, ионы) могут находиться в нескольких равновесных положениях, каждое
из которых характеризуется своим дипольным моментом. При высоких температурах
энергия теплового движения превышает энергию диполь-дипольного взаимодействия.
Диполи направлены неупорядоченно, и суммарная поляризация равна нулю (). При температурах ниже температуры фазового перехода роль
диполь-дипольного взаимодействия возрастает настолько, что происходит
спонтанное упорядочение полярных структурных элементов и возникает спонтанная
поляризация (
). Примером сегнетоэлектриков с переходом типа
порядок−беспорядок является сегнетова соль (название которой положено в
основу данного класса диэлектриков). Аналогично магнетикам, температура
фазового перехода между неполярным и поляризованным состояниями в
сегнетоэлектриках, называется температурой
Кюри
. Данные о температуре Кюри и величине спонтанной
поляризации некоторых сегнетоэлектриков с фазовыми переходами типа смещения и
типа порядок−беспорядок приведены в табл. 8.2 [52].
Таблица 8.2
Температура Кюри и величина
спонтанной поляризации
для некоторых сегнетоэлектриков
Сегнетоэлектрики типа смещения |
Сегнетоэлектрики типа
порядок−беспорядок |
||||
Кристалл |
|
|
Кристалл |
|
|
Титанат бария ( |
130 |
30 |
Сегнетова соль ( |
-18, +24 |
0,25 |
Титанат свинца ( |
490 |
60 |
Литий аммоний тартрат (ЛАТ) |
-167 |
0,22 |
Ниобат лития ( |
1200 |
15 |
Нитрат калия ( |
124, 110 |
6,3 |
Танталат лития ( |
655 |
25 |
Селенат калия ( |
-180 |
− |
Сложные оксиды |
465 |
− |
Сульфат аммония ( |
-49 |
0,45 |
|
675 |
14 |
|
|
|
Рассмотрим
структуру и свойства сегнетоэлектриков на примере титаната бария [15]. Химические связи в −
ионно-ковалентные. Титанат бария имеет четыре кристаллические модификации.
Высокотемпературная модификация характеризуется кубической структурой типа
перовскита и не обладает сегнетоэлектрическими свойствами. Остальные три
низкотемпературные модификации отличаются более низкой симметрией и являются
сегнетоэлектриками.
Неполярная
структура типа перовскита
представляет собой плотнейшую кубическую упаковку, образованную ионами
, которые имеют близкие ионные радиусы. В части
октаэдрических пустот в ячейке размещены ионы титана
. На элементарную ячейку приходится одна формульная единица
, четыре октаэдрических и восемь тетраэдрических пустот.
Такая структура устойчива при температурах выше 400 К. При понижении температуры
до 400 К происходит фазовый переход типа смещения, приводящий к образованию
тетрагональной модификации титаната бария, которая устойчива в интервале
температур 400−280 К. Ниже 280 К возникает ромбическая фаза, которая
устойчива до 180 К. При 180 К вновь происходит фазовый переход, связанный с
образованием ромбоэдрической фазы. Схематично элементарные ячейки всех
перечисленных кристаллических модификаций
показаны на рис. 8.20.
|
Рис. 8.20.
Элементарная ячейка титаната бария |
В
низкотемпературных фазах , обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, ион титана
смещается из центра элементарной ячейки, а следовательно, и из центра октаэдра
, т. е. в этих фазах связи ионов титана с различными ионами
кислорода становятся неравноценными. В результате возникает спонтанная
поляризация − появление в низкотемпературных фазах электрических диполей Ti−O, которые и являются носителями
электрических дипольных моментов. В соседних доменах диполи ориентированы
параллельно друг другу. Кристаллы титаната бария могут быть получены как одно-,
так и многодоменными. Спонтанная поляризация происходит вдоль полярных осей
(см. рис. 8.20), число эквивалентных осей спонтанной поляризации типа
равно 6 в
тетрагональной, 12 осей типа
в ромбической и 8 осей
типа
в ромбоэдрической
фазах.
Сегнетоэлектрическими
свойствами обладают более 500 соединений со структурой перовскита и общей
химической формулой , где в качестве компонента В выступает переходной металл.
Среди них такие соединения, как
.
На основе сегнетоэлектриков изготавливаются пьезоэлементы, элементы памяти ЭВМ, приборы для управления лазерным излучением видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра и ряд других приборов. В целом сегнетоэлектрики образуют классы материалов, обладающих электрооптическим эффектом и оптически нелинейными свойствами. Резкое изменение электропроводности вблизи фазового перехода в некоторых сегнетоэлектриках используется для контроля и измерения температур.