4.2. Схема измерения ВАХ

В данной работе предлагается измерить семейство выходных характеристик n-p-n транзистора т.е зависимость тока коллектора IК от напряжения на коллекторе UК при постоянном токе базы IБ =const. Схема измерения представлена на рис.4.

Рис. 4 Схема включения транзистора и приборов.

  • ЦАП 1 - аналоговый выход (ЦАП) адаптера НВЛ-08,

  • ЦАП 2 - учебный ЦАП на базе интерфейса Centronics,

  • АЦП1, АЦП3 - аналоговые входы (например 0…2) адаптера НВЛ-08.

    Ток базы IБ задается напряжением, поступающим с учебного цифро-аналогового преобразователя, созданного на базе стандартного параллельного интерфейса (см. лабораторная работа №1), и сопротивлением резистора RБ, равного нескольким десятков килоОм. Напомним, что этот ЦАП связан с четырьмя старшими битами регистра данных (port[$378]). Контроль напряжения осуществляется одним из каналов аналогово-цифрового преобразователя адаптера НВЛ-08, смотрите лабораторную работу №3.

    Ток коллектора IК задается напряжением, поступающим с аналоговый выхода (т.е. ЦАП) адаптера НВЛ-08, и сопротивлением резистора RК, равного нескольким сотням Ом. Величина тока IК фиксируется по падению напряжения на резисторе RК. Для измерения потенциалов на ЦАП 1 (до резистора) и коллекторе (после резистора) служат два канала аналогово-цифрового преобразователя адаптера НВЛ-08.

    Измеряя зависимость тока коллектора IК при изменении напряжения на коллекторе UК (АЦП 2 на рис.4) при фиксированном токе базы IБ , вы получите семейство выходных характеристик, по которым можно рассчитать коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером. Для активного режима n-p-n транзистора потенциалы коллектора и базы должны быть положительными относительно земли.