Принцип работы лазера:Типы полупроводниковых лазеров:Недостатки

Полупроводниковый лазер

Инжекционным или полупроводниковым лазером называется генератор когерентного во времени и в пространстве рекомбинационного излучения, которое возникает при плотности тока, протекающего через р - n переход, превышающей некоторое пороговое значение.

Принцип действия и конструктивные особенности полупроводниковых лазеров во многом сходны с полупроводниковыми светодиодами.
Физической основой излучения света (электромагнитного излучения) в твердых телах является рекомбинация неравновесных носителей.
Основным методом создания неравновесных носителей в оптоэлектронных устройствах является инжекция неосновных носителей через прямосмещенный электронно-дырочный переход (p-n или гетеропереход).

При прямом смещении в обе p+ и n+ происходит инжекция неравновесных носителей, и в этих областях на расстояниях порядка диффузионной длины Lp, Ln будет происходить рекомбинация неравновесных носителей.

При малых плотностях тока (низкий уровень инжекции) высока вероятность спонтанного излучения и спектральная линия достаточно широкая. При высоких уровнях тока (высокий уровень инжекции) вероятность стимулированного излучения возрастает как по отношению к вероятности спонтанного излучения, так и по отношению к вероятности поглощения, и на спектральной характеристике появляется узкая линяя когерентного излучения. Значение тока, при котором появляется линия когерентного излучения, называют пороговым током.

 

<< Назад Вперед >>