1-ая страница‡‡‡2-ая страница‡‡‡3-я страница>‡‡‡4-ая страница>‡‡‡Применение>‡‡‡Указка

Лазер на двойном гетеропереходе

Ограничений у лазеров на гомопереходе, удалось избежать в конструкции лазера на двойном гетеропереходе (ДГ).

В этом лазерном диоде реализованы два перехода между различными материалами: Al 0,3 Ga 0,7 As (p) - GaAs и GaAs - Al 0,3 Ga 0,7 As (n). Активная область представляет собой слой GaAs толщиной всего 0,1- 0,3 мкм. В такой структуре удалось снизить пороговую плотность тока почти на два порядка (~ 103 А/см2) по сравнению с устройством на гомопереходе. В результате чего лазер получил возможность работать в непрерывном режиме при комнатной температуре. Уменьшение пороговой плотности тока происходит из-за того, что оптические и энергетические характеристики слоев, участвующих в переходах таковы, что все инжектированные электроны и оставшиеся дырки эффективно удерживаются только в активной области; лазерный пучок сосредоточен также только в активной области, где и происходит его основное усиление и распространение; лазерный пучок не испытывает по этим причинам поглощения в областях, соседних с активной. Длина волны излучения такого лазера (l = 0,85 мкм) попадает в диапазон, в котором оптический волоконный кварц имеет минимум потерь. В настоящее время разработаны и широко внедряются лазеры на материалах GaAs с присадками In, P и др. с l = 1,3 и 1,6 мкм, также попадающие в окна прозрачности оптического кварца. Уменьшением ширины полоски лазеров с полосковой геометрией удалось довести пороговый ток до 50 мА, КПД до 60% (величина, рекордная для всех видов существующих в настоящее время лазеров).

<< Назад