1-ая страница‡‡‡2-ая страница‡‡‡3-я страница>‡‡‡4-ая страница>‡‡‡Применение>‡‡‡Указка

На рисунке приведена зависимость Jth от рабочей температуры для трех лазерных структур. Самая слабая зависимость от температуры наблюдается для лазеров на двойных гетероструктурах (ДГ-лазерах). Поскольку Jth в ДГ-лазерах при 300К может достигать значений порядка 103 А/см2 и менее, оказывается возможным реализовать режим непрерывной генерации при комнатной температуре. Благодаря этому лазеры нашли широкое применение в науке и промышленности, в частности в ВОЛС.

Далее приведена зависимость коэффициента усиления от плотности тока, рассчитанная для GaAs. По мере увеличения тока усиление растет до тех пор, пока не достигается порог лазерной генерации, т.е. не создаются условия, при которых световая волна проходит через резонатор без затухания

<< Назад