Принцип работы лазера:Полупроводниковый лазер:Типы полупроводниковых лазеров

Недостатки

В таком виде лазер имеет недостаток, заключающийся в том, что размер лазерного пучка ( ~ 5 мкм) значительно превышает активную область в поперечном направлении ( d = 1 мкм ). В результате чего лазерный пучок проникает далеко в p- и n- области, где испытывает сильное поглощение. По этой причине пороговая плотность тока достигает большой величины ( ~ 105 А/см для GaAs) и лазер быстро выходит из строя от перегрева. Работоспособен такой лазер только в импульсном режиме, а для непрерывного режима излучения необходимо глубокое охлаждение.
Например, для лазера на основе GaAs при 10 К выходная мощность в непрерывном режиме составляет 10 Вт. Пиковая мощность в импульсном режиме при 78 К составляет сотни ватт, а при 300 К - десятки ватт.

<< Назад