1-ая страница‡‡‡2-ая страница‡‡‡3-я страница>‡‡‡4-ая страница>‡‡‡Применение>‡‡‡Указка | |
В настоящее время созданы полупроводниковые лазеры на основе структур со сверхрешеткой. Такие приборы называются гетеролазерами с квантовыми ямами. Изготавливаются на основе стуктуры Al(x)Ga(1-x)As - GaAs методом химического вакуумного осаждения из металлоорганики. Преимущество лазеров с квантовыми ямами состоят в высокой квантовой эффективности, низком пороговом токе(1 мА и менее) и слабой чувствительности к изменениям температуры.
На рисунке приведена типичная зависимость мощности ДГ-лазера при возрастании тока от низких значений, характерных для спонтанной эмиссии, до значений, превышающих порог лазерной генерации. На начальном участке, соответствующем спонтанной эмиссии, интенсивность излучения медленно растет с увеличением тока, протекающего через диод, а после возбуждения лазерной генерации резко возрастает.
Деградация лазеров. Деградация инжекционных лазеров обусловлена целым рядом механизмов. Выделяют три основных типа деградации: 1) катастрофическое разрушение; 2) образование дефектов темных линий; 3) постепенная деградация. Катастрофическое разрушение происходит под действием больших мощностей излучения, приводящих к непрерывному повреждению зеркал лазера вследствие образования на их поверхности ямок и канавок. Дефекты темных линий представляют собой сетку дислокаций, которые могут формироваться в процессе работы лазера и внедряться внутрь резонатора. Появившись, она может сильно разрастись в течение нескольких часов и вызвать увеличение плотности порогового тока. Длину волны излучения полупроводникового лазера можно регулировать путем изменения тока диода или температуры теплоотвода, а также с помощью магнитного поля или давления. Такие достоинства полупроводниковых лазеров, как возможность перестройки длины волны узкой линии излучения, высокая стабильность, низкая потребляемая мощность, простота конструкции, открывают широкие перспективы их применения в промышленности и фундаментальных исследованиях, таких как молекулярные и атомные спектроскопы, газовые спектроскопы высокого разрешения и контроль загрязненности атмосферы. Также полупроводниковые лазеры применяются в качестве источников излучения для волоконно-оптических линий связи (ВОЛС).
| |
<< Назад |