.В рабочем режиме биполярного транзистора протекают следующие физические процессы: инжекция, диффузия, рекомбинация и экстракция.
Рассмотрим р–n переход эмиттер–база при условии, что длина базы велика. В этом случае при прямом смещении р-n перехода из эмиттера в базу инжектируются неосновные носители. Закон распределения инжектированных дырок рn(х) по базе описывается следующим уравнением:
.
Схематически распределение инжектированных дырок рn(х) показано на рисунке 4.
Рис. 4. Распределение инжектированных дырок в базе
Процесс переноса инжектированных носителей через базу – диффузионный. Характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения, – диффузионная длина Lp. Поэтому если необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного перехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. И условие W < Lp является необходимым для реализации транзисторного эффекта – управления током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи.
В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинировавших основных носителей в базе через внешний контакт должно подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы – это рекомбинационный ток.
Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают в электрическое поле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экстрагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре физических процесса:
ü инжекция из эмиттера в базу;
ü диффузия через базу;
ü рекомбинация в базе;
ü экстракция из базы в коллектор.
Эти процессы для одного типа носителей схематически показаны на рисунке 5(а,б).
Рис. 5. Зонная диаграмма биполярного транзистора:
а) в равновесном состоянии, б) в активном режиме