Для просмотра презентаций (*.ppt) используйте MS PowerPoint.
2004 - 2005 |
группа 21302 |
Токи в барьере Шоттки
(Бакшеева А.Г., Воробьева Е.А.)
|
|
Состояния поверхности полупроводника
(Бахарев А.В., Белов К.С.)
|
|
Гетеропереходы
(Волков А.А.)
|
|
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
(Волосевич А.В.)
|
|
Приборы с зарядовой связью
(Григорьев А.С.)
|
|
Фотоприемники
(Зелемоткин А.В.)
|
|
Тиристор и тринистор
(Стрелков А.Н.)
|
|
Проходные и переходные характеристики МДП-транзистора
(Харлукова О.В., Трифонова Н.А.)
|
|
группа 21305 |
Характеристики биполярного транзистора
(Галов А.С.)
|
|
Гетеропереходы
(Ковалев Р.В.)
|
|
МДП- и МНОП-транзисторы
(Кравченко А.А.)
|
|
Приборы с зарядовой связью
(Ситников В.Е.)
|
|
Процессы в биполярном транзисторе
(Соколов А.А.)
|
|
Основные физические процессы в биполярных транзисторах
Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
(Фомкин А.А.)
|
|
Частотные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой
(Ширяев Р.В.)
|
|
группа 21306 |
Генерация и рекомбинация в полупроводниках
(Булкин М.П.)
|
|
Барьер Шоттки
(Ведюкова К.Б.)
|
|
Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника
(Давыдов А.В.)
|
|
Биполярный транзистор
(Князева К.И.)
|
|
Тиристор
(Минькович Д.А.)
|
|
Переходные характеристики МДП-транзистора
(Разгуляев О.А.)
|
|
МДП-транзисторы
(Ригоев М.Ф.)
|
|
МНОП-транзисторы
(Салпагарова М.М.)
|
|
Амплитудные и фазочастотные зависимости биполярных транзисторов
(Яковлева А.А.)
|
|
Светодиоды и полупроводниковые лазеры
(Ершова Г.Е.)
|
|
Маркировка зарубежных полупроводниковых компонентов
(Чернобровкин П.В.)
|
|
Фотоприемники
(Лазарев Игорь)
|
|