2005 - 2006 |
группа
21302 |
pn-переход в диодах (Гущина К.С., Золотарева Н.А., Степанов Ю.Н.) |
|
Лавинный пробой в диодах (Гущина К.С., Золотарева Н.А., Степанов Ю.Н.) |
|
Туннельный пробой в диодах (Гущина К.С., Золотарева Н.А., Степанов Ю.Н.) |
|
Биполярные транзисторы (Путешев М.С.) |
|
Тиристоры (Шульгин Т.В.) |
|
Биполярные транзисторы (Цыкунов И.А.) |
|
h-параметры биполярных транзисторов (Фалин А.С.) |
|
группа
21305 |
Влияние температуры, генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на характеристики реальных диодов. Общие сведения о варикапах. (Калинин А.В.) |
|
Биполярные транзисторы (Романов В.Н.) |
|
Биполярные транзисторы (Харитонов В.Н.) |
|
Стабилитрон (Данилов С.В.) |
|
Туннельный диод (Васильева Е.А.) |
|
Фотопроводимость (Василевский _._.) |
|
группа 21306 |
Биполярный транзистор в схеме с общей базой (Тани С.Ю.) |
|
Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером (Васильева А.В.) |
|
Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером (Федосеев И.А.) |
|