Методические указания к лабораторным работам
"Твердотельная электроника" (лаб. 210; ул. Университетская, 10А) | ||
 |
 |
Комплект методичек по "Твердотельной электронике" (NN 5, 12, 13, 16) |
"Физические основы получения информации" — 2 курс (лаб. 210; ул. Университетская, 10А) | ||
| Диффузионная длина и время жизни носителей заряда (N3) | |
| Диффузионная длина и время жизни носителей заряда (N3) - методичка с инструкцией и контрольными вопросами | |
| Контакт металл-полупроводник и pn-переход (N14) | |
| Солнечный элемент | |
| Магнитные свойства электротехнических материалов | |
"Физические основы получения информации" (лаб. 210; ул. Университетская, 10А) | ||
| | Термоэлектрические преобразователи - Датчики температуры |
| | Фотоэлектрические преобразователи - Фотодатчики |
| | Магнитоэлектрические преобразователи - Магнитные датчики |
| | Мостовые измерения |
| Методичка к лабораторной работе N2 "Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников" | |
| Фотопроводимость полупроводников (N16) | |
"Экспериментальные методы исследований" — 2 курс (лаб. 210; ул. Университетская, 10А) | ||
| | Термоэлектрические преобразователи - Датчики температуры |
| Получение характеристик материалов резонансным методом. Емкость | |
| Измерение диффузионной длины и времени жизни носителей заряда | |
| Температурная зависимость p-n перехода. Контактная разность потенциалов | |
| Вольт-амперная характеристика солнечной батареи (Измерение характеристик солнечного элемента) | |
| Исследование материалов в переменном магнитном поле | |
"Экспериментальные методы исследований" — 3 курс (лаб. 210; ул. Университетская, 10А) | ||
| Исследование характеристик ферромагнетика в переменном магнитном поле | ||
| Измерение спектров люминесценции | ||
| Исследование комплексной проницаемости резонансным методом | ||
| Исследование МДП структур методом высокочастотных вольтфарадных характеристик (ВВФХ) | ||
"Электротехнические материалы" (лаб. 210; ул. Университетская, 10А) | ||
| Исследование характеристик ферромагнетика в переменном магнитном поле | ||
| Исследование температурной зависимости сопротивления металлов и полупроводников. ТермоЭДС | ||
| Исследование фотоэлемента в режиме фотоЭДС | ||
| Измерение вольт-амперной характеристики солнечного элемента | ||
| Измерение диэлектрической проницаемости материалов | ||
"Физика полупроводников и диэлектриков" (лаб. 227; ул. Университетская, 10) | ||
| Методичка к лабораторной работе N2 "Изучение температурной зависимости электропроводности металлов и полупроводников" | |
| Инструкция к лабораторной работе N2 "Изучение температурной зависимости электропроводности металлов и полупроводников" | |
| | Методичка к лабораторной работе N11 "Поляризация сегнетоэлектриков" |
| | Методичка к лабораторной работе N17 "Эффект Холла" |
| Инструкция к лабораторной работе N17 "Эффект Холла" - вариант 1 | |
| Инструкция к лабораторной работе N17 "Эффект Холла" - вариант 2 | |
| | Методичка к лабораторной работе N21 "Фазовый переход в сегнетоэлектриках" |
| Инструкция к лабораторной работе N21 "Фазовый переход в сегнетоэлектриках" | |
| Инструкция к лабораторной работе N22 "Исследование оптических свойств геля пентаоксида ванадия (V2O5)" | |
| Методичка к лабораторной работе N23 "Фотопроводимость" | |
| Инструкция к лабораторной работе N23 "Фотопроводимость" | |
| Методичка к лабораторной работе N24 "Измерение удельной электропроводности полупроводника" | |
| Инструкция к лабораторной работе N24 "Измерение удельной электропроводности полупроводника" | |
| Методичка к лабораторной работе N25 "Измерение термо-ЭДС полупроводника" | |
| Методичка к лабораторной работе "Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения" | |
"Физика тонких плёнок" (лаб.219; ул. Университетская, 10) | ||
| Электропроводность тонких диэлектрических пленок (N4) | |
Разное | ||
| Изучение электрофизических параметров полевого МДП-транзистора | |